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存儲市場,又變天了?
不論是DRAM廠商還是NAND廠商,都不免在新的冬天里掙扎沉浮,但它們或多或少,都已經(jīng)明確了自己的目標,那就是放棄價格戰(zhàn)與頻繁調(diào)整庫存,轉(zhuǎn)而構(gòu)筑更強大的技術(shù)壁壘。1000層NAND,是「勇者」的游戲
在3D NAND中,最終的目標是在基板上堆疊更多層,從而實現(xiàn)更高的密度。目前主要有兩種堆疊方式——單層或者雙層。存儲芯片,苦盡甘來?
受終端需求不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫存高企影響,自2022年至今,存儲行業(yè)經(jīng)歷了一場“史無前例”的危機。英特爾、海力士紛紛實現(xiàn)扭虧,芯片企業(yè)的AI風口來了嗎
英特爾、海力士等芯片企業(yè)的扭虧為盈標志著芯片市場的逐漸復(fù)蘇。這一復(fù)蘇的背后是市場需求的恢復(fù)、企業(yè)自身的優(yōu)化和調(diào)整、以及新技術(shù)帶來的新機會,不過企業(yè)能否抓住這次發(fā)展的風口,還要看芯片企業(yè)們到底該怎么做了...閃存市場,又打起來了
隨著國產(chǎn)閃存芯片的技術(shù)追趕速度加快,三星、海力士等企業(yè)也在加速相關(guān)芯片技術(shù)的迭代。存儲芯片行業(yè)大震蕩
2022年以來,存儲芯片無疑是此次芯片下行周期中被猛烈沖擊的一個領(lǐng)域。集邦數(shù)據(jù)表示,預(yù)計2023年DRAM價格將在Q1、Q2分別下降20%和11%。
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